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Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Solid Phase Epitaxy  SilicOn On Sapphire (Sos)  Carrier Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王启元;  聂纪平;  刘忠立;  郁元桓
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SOS器件及其材料改性的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1999
作者:  聂纪平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  聂纪平;  刘忠立;  和致经;  于芳;  李国花;  张永刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高文钰;  刘忠立;  梁秀琴;  于芳;  聂纪平;  李国花
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Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Nie JP;  Yu YH;  Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sapphire Films  Silicon  
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Nie JP;  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Li GH;  Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Silicon