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中国科学院半导体研究所机构知识库
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
祝梦遥
;
鲁军
;
马佳淋
;
李利霞
;
王海龙
;
潘东
;
赵建华
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, HL
;
Zhang, W
;
Sun, LJ
;
Ma, SD
;
Shi, Y
;
Qu, HW
;
Zhang, YJ
;
Zheng, WH
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提交时间:2015/03/25
相变存储器器件工艺研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
马慧莉
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浏览/下载:1258/37
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fu YC (Fu Ying-Chun)
;
Wang XF (Wang Xiao-Feng)
;
Fan ZC (Fan Zhong-Chao)
;
Yang X (Yang Xiang)
;
Bai YX (Bai Yun-Xia)
;
Zhang JY (Zhang Jia-Yong)
;
Ma HL (Ma Hui-Li)
;
Ji A (Ji An)
;
Yang FH (Yang Fu-Hua)
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提交时间:2013/04/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, JY
;
Wang, XF
;
Wang, XD
;
Ma, HL
;
Fu, YC
;
Ji, A
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Yang, FH
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong DH
;
Zhu HL
;
Liang S
;
Wang BJ
;
Bian J
;
Ma L
;
Yu WK
;
Lou CY
;
Kong, DH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, kdh@semi.ac.cn
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ma, HL
;
Wang, XF
;
Zhang, JY
;
Wang, XD
;
Hu, CX
;
Yang, X
;
Fu, YC
;
Chen, XG
;
Song, ZT
;
Feng, SL
;
Ji, A
;
Yang, FH
;
Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China,fhyang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
;
Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
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提交时间:2009/06/11
半导体激光器热沉管道
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:
王大拯
;
王翠鸾
;
仲莉
;
韩淋
;
崇峰
;
史慧玲
;
王冠
;
胡理科
;
刘素平
;
马骁宇
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提交时间:2009/06/11