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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  刘胜北
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4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  刘胜北
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4h-sic  肖特基二极管  Jbs  沟槽型肖特基  欧姆接触  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren, YY (Ren Yun-Yun);  Xu, B (Xu Bo);  Wang, ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu-Ming (Liu-Ming);  Long, SB (Long Shi-Bing);  Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙安纳;  蔡新霞;  海秀兰;  崔莉;  柳端今;  刘铭;  宗士彪;  邵春波
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  郑柳;  孙国胜;  张峰;  刘兴昉;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  田丽欣;  曾一平
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在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  郑柳;  孙国胜;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  赵万顺;  闫果果;  董林;  刘胜北;  刘斌;  曾一平
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碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  董林;  孙国胜;  赵万顺;  王雷;  刘兴昉;  刘斌;  张峰;  闫果果;  郑柳;  刘胜北
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一种半导体薄膜生长装置及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-13
发明人:  刘兴昉;  刘斌;  郑柳;  董林;  刘胜北;  闫果果;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(796Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：881/80  |  提交时间：2014/12/25