| 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 |
| 刘胜北
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| 学位类型 | 博士后
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| 导师 | SiC材料由于其优异的材料特性，在电力电子领域被视为替代功率器件的理想选择。现阶段中低压领域1200V以内的SiC肖特基二极管以及MOSFET已经成功实现了商品化，并在各种应用中逐步的替代硅基功率器件。然而，对于更高的电压领域SiC基电力电子器件面临着一些基本问题弑待解决，首先硅基IGBT通过新型器件结构，耐压2000V以上时其理论导通电阻已经超过了SiC单极型器件，并且该原型器件已经成功制备，有必要通过结构的改进进一步降低SiC材料的导通电阻
; 其次，由于器件耐压越高要求的外延层厚度越厚，SiC厚膜外延还不能满足工业化生产的需求
; 最后，SiC外延的外延层载流子寿命过低，而最常用的氧化提高寿命的方法，面临着氧化温度高，时间长，效率低的问题。
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| 2018-01
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| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所
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| 学位授予地点 | 北京
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| 学位专业 | SiC，超级结，载流子寿命，沟槽刻蚀，沟槽外延
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| 学科领域 | 半导体材料
; 半导体器件
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| 公开日期 | 2018-02-22
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| 文献类型 | 学位论文
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28265
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘胜北. 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2018.
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