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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing MX (Xing Ming-Xin);  Zheng WH (Zheng Wan-Hua);  Zhou WJ (Zhou Wen-Jun);  Chen W (Chen Wei);  Liu AJ (Liu An-Jin);  Wang HL (Wang Hai-Ling);  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: whzheng@semi.ac.cn
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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张心强;  张维佳;  武美伶;  贾士亮;  刘浩;  李国华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia YL;  Ling WJ;  Wei ZY;  Wang YG;  Ma XY;  Wei, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: zywei@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia YL;  Wei ZY;  Zheng JA;  Ling WJ;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang ZG;  Jia, YL, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Lab Opt Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: wzhy@aphy.iphy.ac.cn
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基于TCO薄膜和键合技术的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196135.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马绍栋;  郑婉华;  陈微;  周文君;  刘安金;  彭红玲
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