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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Bo;   Wan, Zhong;   Wang, Cong;   Chen, Peng;   Huang, Bevin;   Cheng, Xing;   Qian, Qi;   Li, Jia;   Zhang, Zhengwei;   Sun, Guangzhuang;   Zhao, Bei;   Ma, Huifang;   Wu, Ruixia;   Wei, Zhongming;   Liu, Yuan;   Liao, Lei;   Ye, Yu;   Huang, Yu;   Xu, Xiaodong;   Duan, Xidong;   Ji, Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng-Fei Zhu;   Xing-Guo Ye;   Jing-Zhi Fang;   Peng-Zhan Xiang;   Rong-Rong Li;   Dai-Yao Xu;   Zhongming Wei;   Jia-Wei Mei;   Song Liu;   Da-Peng Yu;   Zhi-Min Liao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye, Huaiyu;  Li, Bo;  Tang, Hongyu;  Zhao, Jia;  Yuan, Cadmus;  Zhang, Guoqi
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen C;  Jia R;  Yue HH;  Li HF;  Liu XY;  Ye TC;  Kasai S;  Tamotsu H;  Wu NJ;  Wang SL;  Chu JH;  Xu BS;  Chen, C, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1387/427  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen C;  Jia R;  Li HF;  Meng YL;  Liu XY;  Ye TC;  Kasai S;  Tamotsu H;  Wu NJ;  Wang SL;  Chu JH;  Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
Adobe PDF(728Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/455  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li WL;  Jia R;  Chen C;  Li HF;  Liu XY;  Yue HH;  Ding WC;  Ye TC;  Kasai S;  Hashizume T;  Wu NJ;  Xu BS;  Jia, R, Chinese Acad Sci, Microwave Devices & Integrated Circuits Dept, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. jiarui@ime.ac.cn
Adobe PDF(832Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1448/384  |  提交时间:2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen C (Chen Chen);  Jia R (Jia Rui);  Li WL (Li Weilong);  Li HF (Li Haofeng);  Ye TC (Ye Tianchun);  Liu XY (Liu Xinyu);  Liu M (Liu Ming);  Kasai S (Kasai Seiya);  Tamotsu H (Tamotsu Hashizume);  Wu NJ (Wu Nanjian);  Jia, R, Chinese Acad Sci, Inst Microelect, Beijing 100029, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiarui@ime.ac.cn
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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  李家业;  赵永梅;  刘兴昉
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1576/218  |  提交时间:2009/06/11