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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu LW
;
So CK
;
Zhu CY
;
Gu QL
;
Li CJ
;
Fung S
;
Brauer G
;
Anwand W
;
Skorupa W
;
Ling CC
;
Lu, LW, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
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浏览/下载:1185/365
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提交时间:2010/03/08
一种功率MOSFET驱动电路
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高峰
;
李春寄
;
刘忠立
;
于芳
Adobe PDF(375Kb)
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浏览/下载:1498/219
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提交时间:2009/06/11
一种幅度调制隔离反馈控制电路
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高峰
;
李春寄
;
刘忠立
;
于芳
Adobe PDF(344Kb)
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浏览/下载:1508/172
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fang CB (Fang Cebao)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Xiao HL (Xiao Hongling)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XY (Wang Xiaoyan)
;
Li JP (Li Jianping)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li CJ (Li Chengji)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
;
Wang ZG (Wang Zanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1322/364
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提交时间:2010/03/29
半导体材料残余应力的测试装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈涌海
;
赵玲慧
;
曾一平
;
李成基
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浏览/下载:1290/207
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提交时间:2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
夏君磊
;
吴远大
;
安俊明
;
郜定山
;
李健
;
龚春娟
;
胡雄伟
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浏览/下载:1480/146
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Z (Li Z.)
;
Li CJ (Li C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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浏览/下载:869/264
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提交时间:2010/04/11
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1561/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li, Z (Li, Z.)
;
Li, CJ (Li, C. J.)
;
Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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浏览/下载:1472/373
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提交时间:2010/03/29
Dlts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
董志远
;
李成基
;
段满龙
;
孙文荣
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提交时间:2010/11/23