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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: jykang@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/04/11
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Defects
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Precipitate
Gan
Wds
Tem
Cathodoluminescence
Vapor-phase Epitaxy
Films
Mechanism
Growth