×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
文献类型
会议论文 [3]
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [2]
2002 [2]
2000 [2]
语种
英语 [6]
出处
MATERIALS ... [2]
MATERIALS ... [2]
MATERIALS ... [1]
MATERIALS ... [1]
资助项目
收录类别
SCI [3]
CPCI-S [2]
CPCI(ISTP) [1]
资助机构
IUMRS.; Am... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
提交时间升序
提交时间降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: jykang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(142Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:895/282
  |  
提交时间:2010/04/11
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(142Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1580/288
  |  
提交时间:2010/03/29
Defects
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
Adobe PDF(133Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1355/238
  |  
提交时间:2010/11/15
Defects
Gan
Photoluminescence
Electronic Structures
Yellow Luminescence
Epitaxial-films
Mg
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
Adobe PDF(133Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:859/302
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
Adobe PDF(697Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:886/187
  |  
提交时间:2010/08/12
Influence of precipitates on GaN epilayer quality
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Kang JY
;
Huang QS
;
Wang ZG
;
Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
Adobe PDF(697Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1341/268
  |  
提交时间:2010/11/15
Precipitate
Gan
Wds
Tem
Cathodoluminescence
Vapor-phase Epitaxy
Films
Mechanism
Growth