中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
GaN基大功率LED的外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  纪攀峰
Adobe PDF(3620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1353/114  |  提交时间：2011/06/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Tongbo;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1492/521  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji, Panfeng;  Liu, Naixin;  Wei, Xuecheng;  Liu, Zhe;  Lu, Hongxi;  Wang, Junxi;  Li, Jinmin;  Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn)
Adobe PDF(1784Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：893/169  |  提交时间：2012/06/14
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2055/220  |  提交时间：2011/08/31
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1702/153  |  提交时间：2011/08/31
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  纪攀峰;  朱峰
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1533/210  |  提交时间：2011/08/30
一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔庆峰;  郭金霞;  纪攀峰;  马平;  王文军;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：778/3  |  提交时间：2016/08/30
MOCVD设备的石墨托盘 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  纪攀峰;  孔庆峰;  王文军;  胡强;  马平;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1053/2  |  提交时间：2016/08/30
截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  王文军;  李晋闽;  王军喜;  马平;  纪攀峰;  郭金霞;  孔庆峰;  胡强
Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/100  |  提交时间：2014/11/05
氮化镓系发光二极管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  马平;  刘波亭;  甄爱功;  郭仕宽;  纪攀峰;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：944/97  |  提交时间：2014/11/05