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| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 | |
| 李京波; 纪攀峰; 朱峰 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2011-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法，该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲，然后在N2气氛下退火，并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明，使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高，增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 专利号 | CN200910241698.5 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN200910241698.5 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21851 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李京波,纪攀峰,朱峰. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法. CN200910241698.5. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200910241698.5.pdf（486KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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