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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
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期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, HW
;
Li, JM
;
Ling, LY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Jiao JH
;
Li JM
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Lu HP
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong HW
;
Chen YH
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Fung S
;
Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhou HW
;
Zeng YP
;
Wang HM
;
Dong JR
;
Zhu ZP
;
Pan L
;
Kong MY
;
Zhou HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12