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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi HL; Duan YF; Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn; yifeng@semi.ac.cn
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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞 ; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Duan, YF; Shi, HL; Qin, LX; Duan, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yifeng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Duan, YF; Shi, HL; Qin, LX; Duan, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yifeng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi HL; Duan YF; Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi HL; Duan Y; Shi HL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hlshi@semi.ac.cn
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作者: 许国阳; 颜学进; 朱洪亮; 段俐宏; 周帆; 田慧良; 白云霞; 王圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu GY(许国阳); Yan XJ(颜学进); Zhu HL(朱洪亮); Zhou F(周帆); Duan LH(段俐宏); Tian HL(田慧良); Bai YX(白云霞); Wang W(王圩)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴荣汉; 高文智; 赵军; 段海龙; 林世鸣; 钟战天; 黄永箴; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜全钢; 钟战天; 周小川; 牟善明; 徐贵昌; 蒋健; 段海龙; 王昌衡
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