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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guan M (Guan Min);  Li LS (Li LinSen);  Cao GH (Cao GuoHua);  Zhang Y (Zhang Yang);  Wang BQ (Wang BaoQiang);  Chu XB (Chu Xinbo);  Zhu ZP (Zhu ZhanPing);  Zeng YP (Zeng YiPing)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Wang XG;  Chang Y;  Chu JH;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曹昕;  曾一平;  孔梅影;  王保强;  潘量;  张？？;  朱战萍
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Xiao XR;  Li XP;  Zhang ZZ;  Zhang BW;  Cao Y;  Li GH;  Wang ZP;  Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Li XP;  Xiao XR;  Zhang BW;  Cao Y;  Chen JR;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Yin F,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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