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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie, Xin;   Dang, Jianchen;   Yan, Sai;   Zhang, Weixuan;   Hao, Huiming;   Xiao, Shan;   Shi, Shushu;   Zuo, Zhanchun;   Ni, Haiqiao;   Niu, Zhichuan;   Zhang, Xiangdong;   Wang, Can;   Xu, Xiulai
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Weixuan Zhang;   Xin Xie;   Huiming Hao;   Jianchen Dang;   Shan Xiao;   Shushu Shi;   Haiqiao Ni;   Zhichuan Niu;   Can Wang;   Kuijuan Jin;   Xiangdong Zhang ;   Xiulai Xu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin Xie;   Weixuan Zhang;   Xiaowu He;   Shiyao Wu;   Jianchen Dang;   Kai Peng;   Feilong Song;  Longlong Yang;   Haiqiao Ni;   Zhichuan Niu;   Can Wang;   Kuijuan Jin;   Xiangdong Zhang;   Xiulai Xu
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1514/110  |  提交时间：2011/08/30