SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法
胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明提供一种硅衬底上的高锗组分锗硅虚衬底的生长方法,包括以下步骤:步骤1:在一外延生长装置中置入硅衬底;步骤2:在硅衬底上生长锗缓冲层;步骤3:在锗缓冲层上生长锗硅虚衬底,锗的原子组分大于0.5且小于1。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN201010183385.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010183385.1
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21931
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
胡炜玄,成步文,薛春来,等. 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法. CN201010183385.1.
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