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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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GaAs 基InAlAs/InGaAs MM-HEMT 材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  高宏玲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  商丽燕;  林铁;  周文政;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  俞国林;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  商丽燕;  林铁;  周文政;  郭少令;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  商丽燕;  林铁;  周文政;  黄志明;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  郭少令;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高宏玲;  李东临;  周文政;  商丽燕;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  朱博;  崔利杰;  高宏玲;  李东临;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  崔利杰;  李东临;  高宏玲;  曾一平;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
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