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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yao Lu ; Yuan Jiang; Zheng Lou; Ruilong Shi ; Di Chen ; Guozhen Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiao-lu Yuan; Yu-ting Zheng; Xiao-hua Zhu; Jin-long Liu; Jiang-wei Liu; Cheng-ming Li; Peng Jin; Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1036Kb) | 收藏 | 浏览/下载：41/0 | 提交时间：2020/07/30 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiao-lu Yuan; Yu-ting Zheng; Xiao-hua Zhu; Jin-long Liu; Jiang-wei Liu; Cheng-ming Li; Peng Jin; Zhan-guo Wang
Adobe PDF(1036Kb) | 收藏 | 浏览/下载：57/0 | 提交时间：2020/07/31 |
| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
Adobe PDF(683Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1919/185 | 提交时间：2009/06/11 |
| 在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆沅; 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 王占国
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| Si(111)衬底GaN生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 陆沅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
Adobe PDF(128Kb) | 收藏 | 浏览/下载：858/234 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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