中国科学院半导体研究所机构知识库(SEMI OpenIR): 检索

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法专利专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高云; 陈诺夫 Adobe PDF(525Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：2940/425 \| 提交时间：2010/08/12
	氢等离子体处理对ZnO薄膜光电性能的影响学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 蔡培锋 Adobe PDF(702Kb) \| 收藏 \| 浏览/下载：1301/30 \| 提交时间：2009/04/13

中国科学院半导体研究所机构知识库