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| m面蓝宝石上外延半极性GaN研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 羊建坤
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu, Qiang; Wei, Tongbo; Duan, Ruifei; Yang, Jiankun; Huo, Ziqiang; Zeng, Yiping; Xu, Shu; Hu, Q.(huqiang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(594Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1288/391 | 提交时间：2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu QA; Wei TB ; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
Adobe PDF(873Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1273/381 | 提交时间：2011/07/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
Adobe PDF(328Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1178/330 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu Q; Wei TB; Duan RF; Yang JK; Huo ZQ; Lu TC; Zeng YP; Hu Q Sichuan Univ Minist Educ Dept Phys Chengdu 610064 Peoples R China. E-mail Address: lutiecheng@scu.edu.cn; ypzeng@red.semi.ac.cn
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 制备GaN厚膜垂直结构LED的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 羊建坤; 魏同波; 胡强; 霍自强; 段瑞飞; 王军喜
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| 生长半极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 羊建坤; 魏同波; 霍自强; 张勇辉; 胡强; 段瑞飞; 王军喜
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