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非极性a-GAN的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王建霞
Adobe PDF(4985Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：838/45  |  提交时间：2014/05/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Huijie;  Liu, Guipeng;  Wei, Hongyuan;  Jiao, Chunmei;  Wang, Jianxia;  Zhang, Heng;  Dong Jin, Dong;  Feng, Yuxia;  Yang, Shaoyan;  Wang, Lianshan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhan-Guo
Adobe PDF(790Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：783/187  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HJ (Li, Huijie);  Liu XL (Liu, Xianglin);  Wang JX (Wang, Jianxia);  Jin DD (Jin, Dongdong);  Zhang H (Zhang, Heng);  Yang SY (Yang, Shaoyan);  Liu SM (Liu, Shuman);  Mao W (Mao, Wei);  Hao Y (Hao, Yue);  Zhu QS (Zhu, QinSheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：924/33  |  提交时间：2014/10/28
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1010/105  |  提交时间：2014/10/24
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/1  |  提交时间：2016/09/12