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AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  潘旭
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Alxga1-xn三元合金  高al组分  紫外探测器  金属有机物化学气相外延  Si基gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Pan X;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Wang ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
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Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者:  Wei M (Wei Meng);  Wang XL (Wang Xiaoliang);  Pan X (Pan Xu);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Zhang ML (Zhang Minglan);  Wang ZG (Wang Zhanguo)
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Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 318 (1): 464-467, Beijing, PEOPLES R CHINA, AUG 08-13, 2010
作者:  Pan X (Pan Xu);  Wei M (Wei Meng);  Yang CB (Yang Cuibai);  Xiao HL (Xiao Hongling);  Wang CM (Wang Cuimei);  Wang XL (Wang Xiaoliang)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan X;  Wei M;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Wang XL;  Pan, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100864, Peoples R China. xpan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Pan X;  Hou QF;  Wang ZG;  Wei, M, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
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在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  魏萌;  王晓亮;  潘旭;  李建平;  刘宏新;  王翠梅;  肖红领
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