| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 |
| 魏萌; 王晓亮; 潘旭 ; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一大失配衬底；步骤2：在大失配衬底上生长一层氮化物复合缓冲层，该氮化物复合缓冲层可以缓解晶格失配，并且阻止回熔刻蚀反应；步骤3：在氮化物复合缓冲层上生长一层GaN过渡层；步骤4：在GaN过渡层上生长一组超晶格，该超晶格可以释放部分张应力，并能过滤穿透位错；步骤5：在超晶格上面生长GaN外延层，完成GaN薄膜的制备。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 专利号 | CN201010128376.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010128376.2
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22305
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
魏萌,王晓亮,潘旭,等. 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法. CN201010128376.2.
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