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中国科学院半导体研究所机构知识库
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AlGaN/GaN电力电子器件的设计、制备与可靠性分析
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
梁亚楠
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提交时间:2018/06/01
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
贾利芳
;
何志
;
刘志强
;
李迪
;
樊中朝
;
程哲
;
梁亚楠
;
王晓东
;
杨富华
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提交时间:2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
贾利芳
;
何志
;
刘志强
;
李迪
;
樊中朝
;
程哲
;
梁亚楠
;
王晓东
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杨富华
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提交时间:2016/08/30