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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Ying;  Han Weihua;  Yang Xiang;  Zhang Renping;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  王 颖;  韩伟华;  杨 香;  张 杨;  杨富华 
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具有双量子点接触结构的硅基单电子器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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围栅控制结构的硅基单电子晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香
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SOI纳米结构晶体管的制备与研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  杨香
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一种具有侧栅结构的硅基单电子记忆存储器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  杨香;  吴南健
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang Xiang;  Han Weihua;  Wang Ying;  Zhang Yang;  Yang Fuhua
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Monostable-Bistable Transition Logic Element (MOBILE) Model for Single-Electron Transistors 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang Y;  Han WH;  Yang X;  Chen JJ;  Yang FH;  Wang, Y, Chinese Acad Sci, Res Ctr Semicond Integrated Technol, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋国峰;  甘巧强;  瞿欣;  方培源;  高建霞;  曹青;  徐军;  康香宁;  徐云;  钟源;  杨国华;  陈良惠
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依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨香;  韩伟华;  王颖;  张杨;  杨富华
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