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GaMnSb稀磁半导体材料制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  杨冠东
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制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102108483A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-06-29, 2012-08-29
发明人:  杨冠东;  朱峰;  李京波
Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1477/229  |  提交时间：2012/08/29