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| 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法; 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法 | |
| 杨冠东; 朱峰; 李京波 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-06-29 ; 2012-08-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种制备InMnP:Zn稀磁半导体的方法,采用真空镀膜后热扩散工艺,具体包括以下步骤：步骤1：将一衬底在煮沸的浓盐酸中进行化学腐蚀清洗,然后用去离子水反复冲洗5遍；步骤2：将衬底用氮气吹干,然后迅速置于真空镀膜机,并使之处于真空环境；步骤3：使用真空镀膜机在衬底上蒸镀Mn薄膜；步骤4：将附有Mn薄膜的衬底置入高温真空管式炉,在真空环境中进行高温扩散；步骤5：使用稀盐酸腐蚀清洗衬底表面残余的Mn原子和其他杂质原子,完成器件的制作。 |
| 部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 申请日期 | 2011-03-10 |
| 专利号 | CN102108483A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110057072.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23337 |
| 专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨冠东,朱峰,李京波. 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法, 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方法. CN102108483A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 制备Mn掺杂InP：Zn基稀磁半导体的方（294KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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