中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

  只显示已认领条目
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
具有背势垒的GaN基HEMT研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  彭恩超
Adobe PDF(8944Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1459/92  |  提交时间：2014/06/05
氮化镓  异质结  高电子迁移率晶体管  二维电子气  背势垒  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Yang, Cuibai;  Peng, Enchao;  Lin, Defeng;  Feng, Chun;  Jiang, Lijuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1114/370  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi, Yang;  Wang, XiaoLiang;  Yang, CuiBai;  Xiao, HongLing;  Wang, CuiMei;  Peng, EnChao;  Lin, DeFeng;  Feng, Chun;  Jiang, LiJuan,;  Bi, Y.(ybi@semi.ac.cn)
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1318/296  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bi Y;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Peng EC;  Lin DF;  Feng C;  Jiang LJ;  Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1262/270  |  提交时间：2011/09/14
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：796/80  |  提交时间：2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：820/98  |  提交时间：2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1138/94  |  提交时间：2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：771/87  |  提交时间：2014/12/25