| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 | |
| 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2013-05-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2013-02-20 |
| 申请号 | CN201310054863.2 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25815 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王翠梅,王晓亮,彭恩超,等. 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及（582KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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