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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王姝睿;  刘忠立;  徐萍;  葛永才;  姚文卿;  高翠华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姚文卿;  Ryssed Heiner
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