SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共1条,第1-1条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 195 (1-4), LA JOLLA, CALIFORNIA, MAY 31-JUN 04, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1325/205  |  提交时间:2010/11/15
Diodes