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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
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连续自对准半导体光电子器件与模斑转换器的集成 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张瑞英;  王圩;  董杰
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半导体材料电信号测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  葛惟昆
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偏振不灵敏半导体光学放大器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张瑞英;  董杰;  王圩
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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GaAs基In(Ga, Al)As复合量子点材料的生长及量子点超辐射发光管的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  张子旸
Adobe PDF(1729Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：874/44  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DB;  Dong X;  Huang JS;  Liu XL;  Xu ZY;  Wang XH;  Zhang Z;  Wang ZG;  Li DB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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掺稀土富硅氧化硅发光特性与机理的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  陈长勇
Adobe PDF(1462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：832/6  |  提交时间：2009/04/13