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Stability improvement of selective oxidation during the fabrication of InGaAs/GaAs vertical cavity surface emitting laser 会议论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 37 (6B), TOKYO, JAPAN, OCT 07-09, 1997
作者:  Pan Z;  Zhang Y;  Du Y;  Wu RH;  Pan Z Tokyo Inst Technol Precis & Intelligence Lab Midori Ku 4259 Nagatsuta Yokohama Kanagawa 2268503 Japan.
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Vcsel  Selective Oxidation  Stability  Wet Oxidation  Microstructure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LS;  Liu XL;  Zan YD;  Wang D;  Lu DC;  Wang ZG;  Wang YT;  Cheng LS;  Zhang Z;  Wang LS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: lswang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Zhang Y;  Du Y;  Wu RH;  Pan Z,Tokyo Inst Technol,Precis & Intelligence Lab,Midori Ku,4259 Nagatsuta,Yokohama,Kanagawa 2268503,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu Z;  Huang D;  Yang X;  Wang J;  Qin F;  Zhang J;  Yang Z;  Wu Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang HF;  Han PD;  Cheng LS;  Zhang Z;  Duan SK;  Teng XG;  Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖建伟;  刘宗顺;  刘素平;  方高瞻;  胡长虹;  李秀芳;  鲁琳;  徐素娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴正龙;  姚振钰;  张建辉;  刘志凯;  秦复光
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马书懿;  张伯蕊;  秦国刚;  韩和相;  汪兆平;  李国华;  马振昌;  宗婉华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张益;  黄永箴;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐遵图;  徐俊英;  杨国文;  张敬明;  李秉臣;  陈良惠;  沈光地
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