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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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一种恒温装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  昝育德;  李瑞云;  王俊;  林兰英
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GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by solid-source molecular beam epitaxy 会议论文
COMMAD 2000 PROCEEDINGS, BUNDOORA, AUSTRALIA, DEC 06-08, 2000
作者:  Pan Z;  Li LH;  Wang XY;  Lin YW;  Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1194/224  |  提交时间：2010/10/29
Operation  会议主办方: La Trobe Univ  Depts Electr Engn & Phys  
Cooperative spontaneous emission of excitons in the semiconductor microcavity 会议论文
VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASERS IV, 3946, SAN JOSE, CA, JAN 26-28, 2000
作者:  Liu S;  Lin SM;  Wang QM;  Liu S Chinese Academe Inst Semicond Natl Optoelect Integrat Lab Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1115/217  |  提交时间：2010/10/29
Spontaneous Emission  Microcavity Anisotropy  Polarized Exciton  Surface-emitting Lasers  Polariton Photoluminescence  Cavity  Operation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YF;  Liu FQ;  Xu B;  Lin F;  Wu J;  Jiang WH;  Ding D;  Wang ZG;  Li YF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(800Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：774/204  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu SA;  Lin SM;  Cheng P;  Zhang GB;  Wang QM;  Chen Y;  Li GH;  Han HX;  Liu SA,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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Self-assembled InAs quantum wires on InP(001) 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Wu J;  Zeng YP;  Sun ZZ;  Lin F;  Xu B;  Wang ZG;  Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Short-period Superlattices  Vapor-phase Epitaxy  Gaas  Islands  State  
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
自组织生长量子点激光材料和器件研究 成果
2000
主要完成人:  王占国;  封松林;  徐仲英;  梁基本;  徐波
收藏  |  浏览/下载：2258/0  |  提交时间：2010/04/13
量子点  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Wang XX;  Zeng YP;  Wang YT;  Wang BQ;  Pan L;  Wu J;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch EEE,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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