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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [12]
作者
金鹏 [1]
叶小玲 [1]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [12]
语种
中文 [7]
英语 [5]
出处
MATERIALS ... [2]
CHINESE PH... [1]
NANOTECHNO... [1]
OPTICAL AN... [1]
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发表日期:2006
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45
50
55
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65
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光通道性能在线监测模块
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹彭
;
辛红丽
;
李芳
;
刘育梁
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浏览/下载:1143/169
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提交时间:2009/06/11
用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
尹志冈
;
杨霏
Adobe PDF(349Kb)
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浏览/下载:1297/150
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提交时间:2009/06/11
光信道检测模块中的光接收接口
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曹彭
;
刘育梁
Adobe PDF(359Kb)
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收藏
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浏览/下载:947/119
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提交时间:2009/06/11
一种降低光谱仪器中杂散光的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
辛红丽
;
曹彭
;
李芳
;
刘育梁
Adobe PDF(336Kb)
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浏览/下载:905/142
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提交时间:2009/06/11
采用双层结构的混合集成光路芯片
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈鹏
;
刘育梁
;
李芳
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浏览/下载:982/168
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提交时间:2009/06/11
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
陈晨龙
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浏览/下载:1041/170
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Lian P (Lian Peng)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Wu XM (Wu Xu-Ming)
;
He GR (He Guo-Rong)
;
Li H (Li Hui)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Song GF (Song Guo-Feng)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
;
Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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浏览/下载:1264/298
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Jin P
;
Liang LY
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Martinez AI
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:938/246
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1271/300
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提交时间:2010/04/11
Preparation and AFM characterization of self-ordered porous alumina films on semi-insulated gaas substrate
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Wang ZG
;
Liang LY
;
Cheng BC
;
Liu JP
;
Peng WQ
;
Zhou, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouhy@mail.semi.ac.cn
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浏览/下载:1980/369
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提交时间:2010/03/29
Anodic Alumina Films