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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZG; Wang ZG,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu LW; Wang ZG; Yang CL; Wang J; Ma ZH; Sou IK; Ge WK; Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu LW; Zhang YH; Xu ZT; Xu ZY; Wang ZG; Wang J; Ge WK; Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德 ; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张秀兰; 张富强; 宋书林; 陈诺夫; 王占国; 胡文瑞; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈敦军; 毕朝霞; 沈波; 张开骁; 顾书林; 张荣; 施毅; 胡立群; 郑有（火+斗）; 孙学浩; 万寿科; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姚湲; 谬梅勇; 王占国; 李述汤
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