×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2004 [4]
语种
英语 [4]
出处
ADVANCED M... [2]
GETTERING ... [1]
POSITRON A... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
Portuguese... [2]
Commemorat... [1]
IHP Frankf... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
发表日期:2004
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Long-wavelength SiGe/Si MQW resonant-cavity-enhanced photodiodes (RCE-PD)
会议论文
GETTERING AND DEFECT ENGINEERING IN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 95-96, BERLIN, GERMANY, SEP 21-26, 2003
作者:
Yu JZ
;
Li C
;
Cheng BW
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(459Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1331/218
  |  
提交时间:2010/11/15
Dbr (Distributed Bragg Reflector)
Mqw (Multiple Quantum Wells)
Optical Fiber Communication
Photodiode
Rce-pd (Resonant-cavity-enhanced Photodiode)
Responsivity
Sige/si
Soi
Characterization of polymorphous silicon thin film and solar cells
会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM II, 455-456, Caparica, PORTUGAL, APR 14-16, 2003
作者:
Zhang S
;
Xu Y
;
Liao X
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Hu Z
;
Kong G
;
Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
Adobe PDF(270Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1366/215
  |  
提交时间:2010/10/29
Polymorphous Silicon
Thin Film
Solar Cell
Influence of the rapid thermal annealing on the properties of thin a-Si films
会议论文
ADVANCED MATERIALS FORUM II, 455-456, Caparica, PORTUGAL, APR 14-16, 2003
作者:
Nedev N
;
Beshkov G
;
Fortunato E
;
Georgiev SS
;
Ivanov T
;
Raniero L
;
Zhang SB
;
Martins R
;
Martins R Bulgarian Acad Sci Inst Solid State Phys Tzarigradsko Chaussee 72 BU-1784 Sofia Bulgaria. 电子邮箱地址: rm@uninova.pt
Adobe PDF(242Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1252/183
  |  
提交时间:2010/10/29
Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements
会议论文
POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, 445-6, Kyoto, JAPAN, SEP 07-12, 2003
作者:
Hu WG
;
Wang Z
;
Dai YQ
;
Wang SJ
;
Zhao YW
;
Hu WG Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
Adobe PDF(210Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1445/262
  |  
提交时间:2010/10/29
Coincidence Doppler Broadening
Defects
Gasb
Positron Annihilation