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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua) Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:845/274  |  提交时间:2013/04/18 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang YB (Zhang Yanbo); Xiong Y (Xiong Ying); Yang XA (Yang Xiang); Wang Y (Wang Ying); Han WH (Han Weihua); Yang FH (Yang Fuhua); Han, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(852Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/229  |  提交时间:2010/11/30 |
| 基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 王颖 Adobe PDF(6054Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1145/86  |  提交时间:2010/06/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang Ying; Han Weihua; Yang Xiang; Zhang Renping; Zhang Yang; Yang Fuhua Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/219  |  提交时间:2011/08/16 |
| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华 Adobe PDF(396Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1441/249  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 韩伟华; 熊莹; 赵凯; 杨香; 张严波; 王颖; 杨富华 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/84  |  提交时间:2011/08/31 |
| 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:756/94  |  提交时间:2014/12/25 |
| 环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24 发明人: 付英春; 王晓峰; 杨富华 Adobe PDF(1094Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:797/86  |  提交时间:2014/11/17 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:833/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:612/96  |  提交时间:2014/10/31 |