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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [9]
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专利 [5]
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2013 [3]
2010 [1]
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英语 [3]
中文 [1]
出处
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ACTA PHYSI... [1]
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专题:中科院半导体材料科学重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, Gui-Juan
;
Yang, Shao-Yan
;
Liu, Gui-Peng
;
Liu, Chang-Bo
;
Sang, Ling
;
Gu, Cheng-Yan
;
Liu, Xiang-Lin
;
Wei, Hong-Yuan
;
Zhu, Qin-Sheng
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sang, Ling
;
Yang, Shao Yan
;
Liu, Gui Peng
;
Zhao, Gui Juan
;
Liu, Chang Bo
;
Gu, Cheng Yan
;
Wei, Hong Yuan
;
Liu, Xiang Lin
;
Zhu, Qin Sheng
;
Wang, Zhan Guo
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浏览/下载:1184/356
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提交时间:2013/08/27
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
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浏览/下载:369/86
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng YS (Peng Yin-Sheng)
;
Ye XL (Ye Xiao-Ling)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Niu JB (Niu Jie-Bin)
;
Jia R (Jia Rui)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Liang S (Liang Song)
;
Yang XH (Yang Xiao-Hong)
;
Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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浏览/下载:1201/366
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提交时间:2010/11/14
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
;
谷承艳
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:908/85
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提交时间:2014/10/29
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
彭恩超
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:696/80
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提交时间:2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
肖红领
;
彭恩超
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:728/98
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提交时间:2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:829/94
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提交时间:2014/10/24
具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人:
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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提交时间:2014/12/25