已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chun-Cai Hou ; Hong-Mei Chen ; Jin-Chuan Zhang ; Ning Zhuo ; Yuan-Qing Huang ; Richard A Hogg ; David TD Childs ; Ji-Qiang Ning ; Zhan-Guo Wang ; Feng-Qi Liu Zi-Yang Zhang Adobe PDF(1963Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:131/0  |  提交时间:2019/11/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yan Jun-Da; Wang Quan; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Jiang Li-Juan; Yin Hai-Bo; Feng Chun; Wang Cui-Mei; Qu Shen-Qi; Gong Jia-Min; Zhang Bo; Li Bai-Quan; Wang Zhan-Guo; Hou Xun Adobe PDF(712Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:315/4  |  提交时间:2016/03/29 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: WAN Xiao-Jia, WANG Xiao-Liang, XIAO Hong-Ling, WANG Cui-Mei, FENG Chun, DENG Qing-Wen, QU Shen-Qi, ZHANG Jing-Wen3, HOU Xun, CAI Shu-Jun, FENG Zhi-Hong Adobe PDF(974Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:366/134  |  提交时间:2014/03/18 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1117/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:833/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12 发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(1180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:807/90  |  提交时间:2014/11/05 |
| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:761/80  |  提交时间:2014/12/25 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:782/98  |  提交时间:2014/10/31 |
| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1021/94  |  提交时间:2014/10/24 |
| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29 发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(597Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/87  |  提交时间:2014/12/25 |