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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [33]
作者
伊晓燕 [3]
魏学成 [2]
魏同波 [2]
闫建昌 [2]
文献类型
专利 [30]
期刊论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2016 [1]
2015 [1]
语种
中文 [9]
英语 [1]
出处
ADVANCED M... [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, Yuqing
;
Gao, Yaqi
;
Liu, Xiaoting
;
Ma, Jing
;
Chen, Buhang
;
Xie, Qin
;
Gao, Xin
;
Zheng, Liming
;
Zhang, Yan
;
Ding, Qingjie
;
Jia, Kaicheng
;
Sun, Luzhao
;
Wang, Wendong
;
Liu, Zhetong
;
Liu, Bingyao
;
Gao, Peng
;
Peng, Hailin
;
Wei, Tongbo
;
Lin, Li
;
Liu, Z.F.
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提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
;
Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
;
J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
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浏览/下载:463/3
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王军喜
;
闫建昌
;
郭亚楠
;
张韵
;
田迎冬
;
朱邵歆
;
陈翔
;
孙莉莉
;
李晋闽
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浏览/下载:541/20
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提交时间:2016/04/15
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1589/264
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提交时间:2011/08/31
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:2058/355
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提交时间:2012/09/09
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1903/298
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1631/288
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提交时间:2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1978/288
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提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1586/280
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提交时间:2011/08/31
一种增强LED出光效率的粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:2106/300
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提交时间:2011/08/31