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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽
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| 等离激元纳米结构中的Fano谐振研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
作者: 孙波
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等离激元纳米结构 可调fano谐振 多峰fano谐振 非对称近场耦合 偏振无关fano 谐振 倾斜生长 纳米粒子 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈弘毅; 陈宇; 孙玲; 郭睿倩; 潘庆; 何杰
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| 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郭恩卿; 伊晓燕 ; 汪炼成; 孙波; 王国宏
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| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张逸韵; 汪炼成; 郭恩卿; 孙波; 伊晓燕; 王国宏
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 闫发旺; 孙莉莉; 张会肖; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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