SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共17条,第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Nan, HY;  Wang, ZL;  Wang, WH;  Liang, Z;  Lu, Y;  Chen, Q;  He, DW;  Tan, PH;  Miao, F;  Wang, XR;  Wang, JL;  Ni, ZH
Adobe PDF(1183Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/218  |  提交时间:2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Konthasinghe, K.;  Peiris, M.;  Yu, Y.;  Li, M. F.;  He, J. F.;  Wang, L. J.;  Ni, H. Q.;  Niu, Z. C.;  Shih, C. K.;  Muller, A.
Adobe PDF(777Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:678/175  |  提交时间:2013/10/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Konthasinghe K (Konthasinghe, K.);  Peiris M (Peiris, M.);  Yu Y (Yu, Y.);  Li MF (Li, M. F.);  He JF (He, J. F.);  Wang LJ (Wang, L. J.);  Ni HQ (Ni, H. Q.);  Niu ZC (Niu, Z. C.);  Shih CK (Shih, C. K.);  Muller A (Muller, A.)
Adobe PDF(777Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:727/209  |  提交时间:2013/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan, F;  He, JF;  Shang, XJ;  Li, MF;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Niu, ZC
Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:939/317  |  提交时间:2013/03/17
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  贺继方
Adobe PDF(12915Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1472/137  |  提交时间:2012/06/15
Si基iii-v族半导体  Inas/gaas量子点  半导体纳米线  自催化生长  分子束外延  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan, F;  Wang, HL;  He, JF;  Wang, J;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:781/233  |  提交时间:2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shang XJ;  He JF;  Li MF;  Zhan F;  Ni HQ;  Niu ZC;  Pettersson H;  Fu Y;  Fu, Y (reprint author), Royal Inst Technol, Sch Biotechnol, Div Theoret Chem & Biol, S-10691 Stockholm, Swedenfyg@theochem.kth.se
Adobe PDF(1048Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1121/274  |  提交时间:2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan F;  Wang HL;  He JF;  Wang JA;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhan, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zhf@semi.ac.cn
Adobe PDF(1966Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1251/276  |  提交时间:2011/07/05
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1690/204  |  提交时间:2011/08/30
在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1517/245  |  提交时间:2012/08/29