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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体超晶格国家重... [17]
作者
贺继方 [2]
詹锋 [1]
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发表日期
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专题:半导体超晶格国家重点实验室
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Nan, HY
;
Wang, ZL
;
Wang, WH
;
Liang, Z
;
Lu, Y
;
Chen, Q
;
He, DW
;
Tan, PH
;
Miao, F
;
Wang, XR
;
Wang, JL
;
Ni, ZH
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浏览/下载:1353/218
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Konthasinghe, K.
;
Peiris, M.
;
Yu, Y.
;
Li, M. F.
;
He, J. F.
;
Wang, L. J.
;
Ni, H. Q.
;
Niu, Z. C.
;
Shih, C. K.
;
Muller, A.
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浏览/下载:678/175
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提交时间:2013/10/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Konthasinghe K (Konthasinghe, K.)
;
Peiris M (Peiris, M.)
;
Yu Y (Yu, Y.)
;
Li MF (Li, M. F.)
;
He JF (He, J. F.)
;
Wang LJ (Wang, L. J.)
;
Ni HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu ZC (Niu, Z. C.)
;
Shih CK (Shih, C. K.)
;
Muller A (Muller, A.)
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浏览/下载:727/209
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提交时间:2013/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan, F
;
He, JF
;
Shang, XJ
;
Li, MF
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:939/317
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提交时间:2013/03/17
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
贺继方
Adobe PDF(12915Kb)
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浏览/下载:1472/137
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提交时间:2012/06/15
Si基iii-v族半导体
Inas/gaas量子点
半导体纳米线
自催化生长
分子束外延
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan, F
;
Wang, HL
;
He, JF
;
Wang, J
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
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浏览/下载:781/233
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shang XJ
;
He JF
;
Li MF
;
Zhan F
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Pettersson H
;
Fu Y
;
Fu, Y (reprint author), Royal Inst Technol, Sch Biotechnol, Div Theoret Chem & Biol, S-10691 Stockholm, Swedenfyg@theochem.kth.se
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浏览/下载:1121/274
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提交时间:2012/01/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan F
;
Wang HL
;
He JF
;
Wang JA
;
Huang SS
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Zhan, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zhf@semi.ac.cn
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浏览/下载:1251/276
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提交时间:2011/07/05
一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
王海莉
;
贺继方
;
朱岩
;
李密峰
;
王鹏飞
;
黄社松
;
熊永华
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浏览/下载:1690/204
  |  
提交时间:2011/08/30
在衬底上生长异变缓冲层的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:
贺继方
;
尚向军
;
倪海桥
;
王海莉
;
李密峰
;
朱岩
;
王莉娟
;
喻颖
;
贺正宏
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1517/245
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提交时间:2012/08/29