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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 谈笑天; 郑厚植; 刘 剑; 杨富华
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| 对激发光源无稳定性要求的吸收、反射和透射光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人: 谭平恒; 张 俊; 赵建华; 姬 扬; 赵伟杰
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| 对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人: 谭平恒; 张俊; 赵建华; 姬扬; 赵伟杰
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| 光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 张 飞; 郑厚植; 肖文波; 谈笑天; 孙晓明; 吴 昊; 朱 科; 罗 晶
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| 利用单一激光线测定单壁碳纳米管激子跃迁能量的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人: 张 俊; 谭平恒; 赵伟杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZJ; Qu SC; Zeng XB; Liu JP; Zhang CS; Shi MJ; Tan FR; Wang ZG; Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang CX; Roither J; Kirschschlager R; Kovalenko MV; Brehm M; Fromherz T; Kan Q; Tan PH; Liu J; Chen HD; Heiss W; Wang CX Johannes Kepler Univ Linz Inst Solid State Phys & Semicond A-4040 Linz Austria. E-mail Address: wolfgang.heiss@jku.at
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tan XT; Zheng HZ; Liu J; Zhu H; Xu P; Li GR; Yang FH; Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZJ; Qu SC; Zeng XB; Liu JP; Zhang CS; Tan FR; Jin L; Wang ZG; Qu SC Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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