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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [22]
作者
王杰 [5]
韩培德 [1]
刘剑 [1]
文献类型
期刊论文 [15]
专利 [7]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [4]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang J (Wang Jun)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Lu YW (Lue Yan-Wu)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
;
qszhu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1227/402
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu, SM
;
Yan, F
;
Zhang, XW
;
You, JB
;
Wu, PY
;
Lu, JM
;
Xu, QF
;
Xia, XW
;
Ma, GL
;
Yan, F, Suzhou Univ, Sch Chem & Chem Engn, Key Lab Organ Synth Jiangsu Prov, Suzhou 215123, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyan@suda.edu.cn
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浏览/下载:1508/487
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提交时间:2010/03/08
具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
卢励吾
;
张砚华
;
葛惟昆
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浏览/下载:1131/142
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提交时间:2009/06/11
一种光瞬态自动测试系统
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
蒋波
;
卢励吾
;
张砚华
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浏览/下载:1007/119
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提交时间:2009/06/11
具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
卢励吾
;
张砚华
;
葛惟昆
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浏览/下载:1097/157
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu YW (Lu Yan-Wu)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Liu FX (Liu Fang-Xin)
;
Liu, FX, Beijing Jiaotong Univ, Dept Phys, Beijing 100044, Peoples R China. E-mail: ywlu@ustc.edu
;
fxliu@ustc.edu.cn
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浏览/下载:1606/536
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陆晓东
;
韩培德
;
全宇军
;
叶志成
;
吴黎
;
陈彦超
;
赵春华
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浏览/下载:993/325
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提交时间:2010/11/23
带有外加磁场的深能级测量样品架装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
卢励吾
;
张砚华
;
葛惟昆
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浏览/下载:1173/187
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提交时间:2009/06/11
半导体材料电信号测试装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2003-07-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张砚华
;
卢励吾
;
葛惟昆
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浏览/下载:1254/158
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张弘达
;
申荣铉
;
毛陆虹
;
唐君
;
梁琨
;
杜云
;
黄永箴
;
吴荣汉
;
冯军
;
柯锡明
;
刘欢艳
;
王志功
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提交时间:2010/11/23