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边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  陆全勇;  张 伟;  王利军;  高 瑜;  尹 雯;  张全德;  刘万峰;  刘峰奇;  王占国
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集成肋片式红外半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-20, 2010-08-12
发明人:  刘俊岐;  刘峰奇;  李 路;  王利军;  王占国
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单模量子级联激光器线阵列结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人:  高 瑜;  刘峰奇;  刘俊岐;  王占国
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Shi MJ;  Tan FR;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JQ;  Liu FQ;  Li L;  Wang LJ;  Wang ZG;  Liu JQ Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jqliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Lu YW;  Song HP;  Liu XL;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Zhang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: zhangbiao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP;  Yang AL;  Zhang RQ;  Guo Y;  Wei HY;  Zheng GL;  Yang SY;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Song HP Chinese Acad Sci Kev Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang ZJ;  Qu SC;  Zeng XB;  Liu JP;  Zhang CS;  Tan FR;  Jin L;  Wang ZG;  Qu SC Chinese Acad Sci Key Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Li M;  Fu DY;  Fang HN;  Xiu XQ;  Lu H;  Zheng YD;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG;  Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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