Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
单模量子级联激光器线阵列结构 | |
高 瑜; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国 | |
2010-08-12 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2010-03-03 ; 2010-08-12 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种单模量子级联激光器线阵列结构,其特征在于,该结构包括:一衬底;多个脊形单元,该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上,形成脊形结构列;一隔离层,该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面,该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开,形成电注入窗口;一上欧姆接触层,该上欧姆接触层制作在隔离层以及电注入窗口上;一下欧姆接触层,该下欧姆接触层制作在衬底的下表面。 |
申请日期 | 2008-08-27 |
语种 | 中文 |
专利状态 | 实质审查的生效 |
申请号 | CN200810118963.6 |
专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13372 |
专题 | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高 瑜,刘峰奇,刘俊岐,等. 单模量子级联激光器线阵列结构[P]. 2010-08-12. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
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