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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
刘祥林
;
赵凤瑷
;
焦春美
;
董向芸
;
张晓沛
;
范海波
;
魏宏源
;
张攀峰
;
王占国
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浏览/下载:1390/138
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周志文
;
蔡志猛
;
张永
;
蔡坤煌
;
周笔
;
林桂江
;
汪建元
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
;
余金中
;
王启明
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浏览/下载:1276/412
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hu, WG (Hu Wei-Guo)
;
Liu, XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhang, PF (Zhang Pan-Feng)
;
Zhao, FA (Zhao Feng-Ai)
;
Jiao, CM (Jiao Chun-Mei)
;
Wei, HY (Wei Hong-Yuan)
;
Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing)
;
Wu, JJ (Wu Jie-Jun)
;
Cong, GW (Cong Guang-Wei)
;
Pan, Y (Pan Yi)
;
Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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浏览/下载:1484/399
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan HB (Fan Hai-Bo)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Jiao CM (Jiao Chun-Mei)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn
;
sh-yyang@semi.ac.cn
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浏览/下载:7387/2875
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Hu WG (Hu Wei-Guo)
;
Zhang PF (Zhang Pan-Feng)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhau-Guo)
;
Liu, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@semi.ac.cn
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浏览/下载:980/291
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提交时间:2010/03/29
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
丛光伟
;
刘祥林
;
董向芸
;
魏宏源
;
王占国
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浏览/下载:1178/155
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提交时间:2009/06/11
用于电调制光致发光光谱测量的样品架
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
丛光伟
;
彭文琴
;
吴洁君
;
魏宏源
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(485Kb)
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浏览/下载:1332/189
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
焦春美
;
于英仪
;
赵凤瑗
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浏览/下载:1140/153
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提交时间:2009/06/11
应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘祥林
;
赵凤瑗
;
焦春美
;
于英仪
Adobe PDF(665Kb)
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浏览/下载:1105/154
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提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(683Kb)
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浏览/下载:1832/185
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提交时间:2009/06/11