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砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高宏玲;  曾一平;  段瑞飞;  王宝强;  朱战平;  崔利杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu HJ (Wu Hui-Juan);  Li XX (Li Xiao-Xin);  Dong JQ (Dong Jian-Qiang);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Li, XX, Peking Univ, Dept Ophthalmol, Peoples Hosp, Beijing, Peoples R China. E-mail: drlixiaoxin@vip.sina.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL (Gao Hong-Ling);  Li, DL (Li Dong-Lin);  Zhou, WZ (Zhou Wen-Zheng);  Shang, LY (Shang Li-Yan);  Wang, BQ (Wang Bao-Qiang);  Zhu, ZP (Zhu Zhan-Ping);  Zeng, YP (Zeng Yi-Ping);  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高宏玲;  李东临;  周文政;  商丽燕;  王宝强;  朱战平;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈维德;  金高龙;  高志强;  崔玉德;  段俐宏
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氢离子敏场效应器件 成果
1994
主要完成人:  李东研;  崔成烈;  李志强;  黄晓兰;  洪重光
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氢离子  
DMF-1型大幅度矩形纳秒脉冲发生器 成果
1988
主要完成人:  周旋;  鲍秉乾;  李强;  贾洪盛
收藏  |  浏览/下载:1118/0  |  提交时间:2010/04/13
脉冲发生器