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| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙
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| GaAs基单模面发射量子级联激光器结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 李路 ; 邵烨; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| 镓砷基量子级联激光器管芯单元结构及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘俊岐; 刘峰奇; 路秀真; 郭瑜; 梁平; 胡颖; 孙虹
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| n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 梁平; 孙红; 胡颖; 王晓东
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮
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| 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 张瑞英; 朱洪亮; 王鲁蜂
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| 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-01-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王书荣; 王圩; 朱洪亮; 张瑞英; 边静
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| 半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨君玲; 陈诺夫; 何家宏; 钟兴儒; 吴金良; 林兰英; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
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